图2 容量与频率关系曲线
图3 DF与频率关系曲线
图4 ESR、Z与频率关系曲线
由上图可知，该钽电容器SRF（自谐振频率）在500KHz左右，该点Z值最小，谐振频率点之前电容呈容性，谐振点之后电容呈感性，也就是说在频率很高，超过电容自谐振频率的情况下，电容就不在是"电容"了 ，此时的功率损耗主要由电容的寄生电感引起，P耗=I2rms·2πf·L，所以高频下，低ESR、ESL电容的发热少。
电容电介质很薄，就电容的总质量来说，它可能仅占一小部分，所以在评估波纹时，也需考虑其结构中所用的其它材料。例如，无极性电容(如陶瓷或薄膜电容)中的电容板是金属的；而极性电容(如钽或铝)，具有一个金属阳极(而在铌氧化物技术中，阳极是导电氧化物)和一个电解质阴极(如二氧化锰或导电聚合物)。在内外部连接或引脚上，还有各种导电触点，包括金属(如：铜、镍、银钯和锡等)和导电环氧树脂等都会增加阻抗成份，当AC信号或电流通过这些材料（材料阻抗成份即电容器等效串联电阻ESR）时，它们都会有一定程度的发热。
要了解这些因素如何发挥作用，我们以使用固体钽电容器在直流电源输出级平滑残留AC纹波电流为例。首先，由于它是有极性电容器，所以需要一个正电压偏置，以防止AC分量引起反向偏压情况的发生。该偏置电压通常是电源的额定输出电压。
图5 纹波电压叠加在偏置电压上
Voltage:电压 Time:时间
钽电容纹波发热是由于通过钽电容的纹波电流在钽电容等效串联电阻上生产了功率损耗。我们看由在给定频率下电流的纹波值在钽电容等效串联电阻产生的功耗(等于I2R，其中“I”是电流均方根[rms])。
P耗=I2rms·ESR（由纹波电流引起的功耗）
Irms：一定频率下的纹波电流，ESR：电容等效串联电阻。
我们以考察一个正弦纹波电流及其RMS等效值入手。如果在某一频率，我们使一个1A Irms的电流流经一个100mΩESR的电容，其产生的功耗是100mW。若连续供电，基于电容元件结构和封装材料的热容量、以及向周围散热所采取的所有措施(例如：对流、传导和辐射的组合)，该电流将使电容在内部发热，直到它与周围环境达到平衡。
电容发热的次要因素
另外在我们考虑纹波前，我们必须注意由施加的直流偏压产生的发热。电容不是理想器件，一种寄生现象是跨接介电材料的并联电阻（RLi），该电阻将导致漏电流的发生。这个小DC电流会导致发热，但是不像其它典型应用的纹波状态，该发热通常可忽略不计。电容漏电流引起的功耗可由下式计算：
P耗=I2DCL·R（由漏电流引起的功耗）
IDCL：指钽电容漏电流， R：是跨接介电材料的并联电阻(近似于钽电容绝缘电阻)
如图1中100uF/16V钽电容等效电路的绝缘电阻RLi等于1.1MΩ,在室温下，其IDCL不超过10uA(100uA@85℃)，所以其最大功耗约为0.11mW，在这种情况，纹波发热是DC漏电流发热的1000倍，因此后者(如前所述)可以忽略不计。
当工作电压超过电容最大承受电压、极性电容反向、电容器介质绝缘性能下降等情况使用，此时电容发热主要由漏电流引起，如下图以电解电容为例说明。
电解电容器为极性电容，因电解电容器介质氧化膜具有单向导电性，下图为电解电容介质氧化膜耐压与漏电流伏安特性曲线图，与二极管伏安特性图类似。
图6为电解电容器介质氧化膜V-I特性曲线图
图6为电解电容器介质氧化膜V-I特性曲线图，决定了电解电容器单向导电性，是有极性电解电容器。由于阴极箔表面有自然氧化的氧化膜，可耐极低的反向电压。给电解电容器加反向电压，会造成电解电容器阳极表面介质氧化膜击穿、破损，且在反向电流作用下破损的介质氧化膜无法修复，导致介质氧化膜绝缘性能下降，电解电容器内部漏电流DCL会急剧增大，内部漏电流DCL通过绝缘电阻会产生功率损耗，最终导致电解电容器发热。可以说漏电流是衡量电容器介质绝缘性能好坏的标志，对于一些精密电路和漏电流敏感电路使用电容器时，检测电容的漏电流或绝缘电阻是不可忽略的。
总结
因此，通过上述对电容器发热原因的分析，可知电容器在额定电压下正常使用时，引起其发热的主要因素是叠加在直流上的纹波。
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